DDR3 国产化系列 

产品概述：

①　DDR3 同步动态随机存储器采用差分时钟输入的双倍速率数据架构实现了存储器高速运行。

②　可通过行地址、列地址对内部存储单元进行选择，通过标准指令激活器件后，进行读写操作；

③　各操作指令序列符合JEDEC 标准，与进口镁光、ISSI 同类型产品兼容。

特 点： 

①　存储容量：2Gb、4Gb、8Gb、16Gb、32Gb； 

②　工作电压：1.35V，向下兼容 1.5V（DDR3）； 

③　数据速率：1866Mbps； 

④　双倍速率：数据信号在系统时钟双沿锁存； 

⑤　支持自刷新和自动刷新模式； 

⑥　可编程的 CAS 延迟 

⑦　BGA96、BGA204、BGA312； 

⑧　工作温度范围：-55℃至+125℃（军工级）； -40℃至+105℃（工业级）。