单面留边薄膜芯片电容（单层）-成都武华科技有限公司

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单面留边薄膜芯片电容（单层）

来源：发布时间：2025-08-15 15:25:25 浏览数：353 【收藏本页】

型号	容值	容差	温度系数	绝缘电阻@电压	损耗(%)@频率	封装代号	封装尺寸mm
C12-15-100V-4R7	4.7pF	±0.5pF	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	15	0.381×0.381×0.178
C12-15-100V-8R2	8.2pF	±0.5pF	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	15	0.381×0.381×0.178
C12-15-100V-100	10pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	15	0.381×0.381×0.178
C12-20-100V-220	22pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	20	0.508×0.508×0.178
C12-20-100V-330	33pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	20	0.508×0.508×0.178
C12-20-100V-470	47pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	25	0.635×0.635×0.178
C12-15-50V-101	100pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@50V	≤2.5@1MHz	15	0.381×0.381×0.178
C12-30-100V-101	100pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥100G@100V	≤4.0@1KHz	30	0.762×0.762×0.178
C12-25-50V-331	330pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@50V	≤2.5@1MHz	25	0.635×0.635×0.178
C12-30-50V-102	1000pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@50V	≤2.5@1MHz	30	0.762×0.762×0.178
C12-40-25V-222	2200pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@25V	≤2.5@1MHz	40	1.012×1.012×0.150
C12-50-25V-332	3300pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@25V	≤2.5@1MHz	50	1.270×1.270×0.150
C12-60-25V-472	4700pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@25V	≤2.5@1MHz	60	1.524×1.524×0.150
C12-70-25V-682	6800pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@25V	≤2.5@1MHz	70	1.778×1.778×0.150
C12-90-25V-103	10000pF	±20%	±15%@-55～+125℃	≥1G@25V	≤2.5@1MHz	90	2.290×2.290×0.178

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